Модуль памяти для ноутбука SoDIMM DDR5 32GB 5600 MHz Impact Kingston Fury (ex.HyperX) (KF556S40IB-32)

Описание Kingston fury (ex.hyperx) KF556S40IB-32:

Модуль памяти для ноутбука SoDIMM DDR5 32GB 5600 MHz Impact Kingston Fury (ex.HyperX) (KF556S40IB-32)
DDR5, 32 ГБ, В наборе - 1, 5600 МГц, CL40, 1.1 В, 262-pin SO-DIMM, non-ECC, нет
С превосходной скоростью, функцией Plug N Play, удвоенным с 16 до 32 количеством банков и удвоенной с 8 до 16 длиной пакета Kingston FURY Impact DDR5 идеально подходит для геймеров и энтузиастов, которым нужна более высокая производительность на платформах следующего поколения.Увеличивая скорость, емкость и надежность, Kingston FURY Impact DDR5 предлагает целый арсенал расширенных функций, таких как ECC на кристалле (ODECC) для повышения стабильности на экстремальных скоростях, два 32-битных подканала для повышения эффективности и интегрированная в модуль схема управления питанием (PMIC), обеспечивающая контроль и подстройку напряжений непосредственно на модуле памяти. При игре в самых экстремальных условиях, при стриминге в формате 4K и выше или при серьезной анимации и 3D-рендеринге, Kingston FURY Impact DDR5 — это следующее повышение уровня, при котором идеально сочетаются стиль и производительность. Кроме того, Kingston FURY Impact DDR5 получила сертификат Intel XMP 3.0 и Certified, что означает, что пользователи могут рассчитывать на простой, стабильный и сертифицированный разгон. Особенности:

• Более высокая производительность: Память DDR5 на 50% быстрее, чем DDR4, что добавляет производительности в играх, рендере и многозадачных средах.


• Поддержка технологии автоматического разгона Plug N Play Automatic Overclocking: Kingston FURY Impact DDR5 поддерживает автоматический разгон до максимальной частоты, указанной в спецификациях.


• Сертификация Intel XMP 3.0: Повышение производительности памяти с предварительно оптимизированными таймингами, скоростью и напряжением питания для разгона. 


• Ниже энергопотребление, выше эффективность: Снижение тепловыделения и повышение эффективности системы благодаря низкому напряжению питания памяти Impact DDR5 1.1 В.


• Повышенная стабильность при разгоне: Коррекция ошибок на кристалле (On-die ECC, ODECC) помогает обеспечить целостность данных при разгоне памяти для повышения ее производительности.