DDR-III 4Gb GoodRam GR1333D364L9/4G PC3-10600 1333MHz

Описание GOODRAM GR1333D364L9/4G:

Память 4Gb DDR3, 1333 MHz, Goodram, 9-9-9-24, 1.5V (GR1333D364L9/4G)

Альтернативное описание GOODRAM GR1333D364L9/4G:

Модуль памяти DDR3 4096Mb GOODRAM (GR1333D364L9/4G) имеет параметр CL9, что обозначает величину латентности, равную 9. CAS-латентность - первый и самый важный параметр в таймингах , обозначает число тактов, необходимых для выдачи данных на шину.
DDR3 4096Mb GOODRAM (GR1333D364L9/4G) - это один модуль памяти на 4 Гб. Память работает с тактовой частотой 1333MHz, и с пиковой скоростью передачи данных 10600МБ/с.

Альтернативное описание GOODRAM GR1333D364L9/4G:

Модуль памяти для компьютера DDR3 4GB 1333 MHz Goodram (GR1333D364L9S/4G)
DDR3, 4 ГБ, В наборе - 1, 1333 MHz, CL9, 1.5 V
DDR3 SDRAM - это третье поколение синхронной динамической памяти с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных.Преимущества по сравнению с DDR2:- более высокая пропускная способность (до 19200 МБ/с);- сниженное тепловыделение (результат уменьшения напряжения питания);- меньшее энергопотреблениие и улучшенное энергосбережение.Модуль памяти DDR3 4096Mb GOODRAM (
GR1333D364L9S
/4G) имеет параметр CL9, что обозначает величину латентности, равную 9. CAS-латентность - первый и самый важный параметр в таймингах , обозначает число тактов, необходимых для выдачи данных на шину. DDR3 4096Mb GOODRAM (
GR1333D364L9S
/4G) - это один модуль памяти на 4 Гб. Память работает с тактовой частотой 1333MHz, и с пиковой скоростью передачи данных 10600МБ/с.

Альтернативное описание GOODRAM GR1333D364L9/4G:

Модуль памяти для компьютера DDR3 4GB 1333 MHz Goodram (GR1333D364L9/4G)
DDR3, 4 ГБ, В наборе - 1, 1333 MHz
Память DDR3 4GB 1333 MHz GOODRAM (GR1333D364L9/4G) поможет ускорить обмен данными на компьютере. Оперативная память незаменима для выполнения различных задач, таких как: работа с объемными текстами, таблицами, графиками; архивирование, шифрование, работа с базами данных; компьютерные игры, а также многие другие задачи. DDR3 SDRAM - это третье поколение синхронной динамической памяти с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных.Преимущества по сравнению с DDR2:- более высокая пропускная способность (до 19200 МБ/ с),- сниженное тепловыделение (результат уменьшения напряжения питания),- меньшее энергопотребление и улучшенное энергосбережение.Данные модули памяти DDR3 созданы на базе новейшего поколения технологии DDR. Как и все модули памяти компании, модули памяти DDR3 спроектированы и созданы таким образом, чтобы полностью соответствовать всем требованиям энтузиастов в области разгона ПК. Модули памяти DDR3 обеспечивают более высокую скорость, более низкое время задержки, более высокую пропускную способность и уменьшенное энергопотребление по сравнению с модулями памяти DDR2.