Характеристики DDR-III 8Gb SAMSUNG 1600 MHz 1600 MHz, , CL11, 1.5V, 1 планка:
- Тип памяти: DDR3
- Тактовая частота: 1600 МГц
- Объем: 1 модуль 8 Гб
- Форм-фактор: DIMM 240-контактный
- Пропускная способность: 12800 Мб/с
- Напряжение питания: 1.5 В
- Поддержка ECC: нет
- Буферизованная (Registered): нет
- Низкопрофильная (Low Profile): нет
- CAS Latency (CL): 11
- Количество чипов каждого модуля: 16, двусторонняя упаковка
Альтернативные характеристики DDR-III 8Gb SAMSUNG 1600 MHz 1600 MHz, , CL11, 1.5V, 1 планка:
Производитель: Samsung
Модель: DDR3 8GB 1600 MHz
Артикул: M378B1G73DB0-CK000
Тип памяти: DDR3
Объем памяти: 8 ГБ
Количество модулей в наборе: 1
Частота памяти: 1600 МГц
Тайминги: CL11
Напряжение питания: 1.5 В
Охлаждение: нет
(Сборка) Потребляемая мощность: 6 Вт
Примечание: Поставка товара возможна в ОЕМ-версии. То есть, товар может поставляться без сопровождающих материалов и дополнительных компонентов, в упаковке без оформления, гарантирующей только их безопасную транспортировку.
Альтернативные характеристики DDR-III 8Gb SAMSUNG 1600 MHz 1600 MHz, , CL11, 1.5V, 1 планка:
Производитель: Samsung
Модель: DDR3 8GB 1600 MHz
Артикул: 8/1600sam3rd
Тип памяти: DDR3
Объем памяти: 8 ГБ
Количество модулей в наборе: 1
Частота памяти: 1600 МГц
Тайминги: CL11
Напряжение питания: 1.5 В
Охлаждение: нет
(Сборка) Потребляемая мощность: 6 Вт
Примечание: Поставка товара возможна в ОЕМ-версии. То есть, товар может поставляться без сопровождающих материалов и дополнительных компонентов, в упаковке без оформления, гарантирующей только их безопасную транспортировку.
Альтернативные характеристики DDR-III 8Gb SAMSUNG 1600 MHz 1600 MHz, , CL11, 1.5V, 1 планка:
Артикул: M378B1G73QH0-CK0
Производитель: Samsung
Тип оперативной памяти: DDR3
Объем одного модуля: 8 ГБ
Количество модулей в комплекте: 1
Частота памяти: 1600 МГц
Схема таймингов: CL11
Напряжение питания: 1.5В
Стандарт памяти: PC3-12800
Система охлаждения: нет